Source: Revista Brasileira de Ensino de Física. Unidade: EESC
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, TRANSISTORES
ABNT
ROMERO, Murilo Araujo e RAGI, Regiane e MANZOLI, José Eduardo. Transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMTs): princípios de operação e características eletrônicas. Revista Brasileira de Ensino de Física, v. 37, n. 4, p. 4306 (1-15), 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/S1806-11173741967. Acesso em: 01 maio 2024.APA
Romero, M. A., Ragi, R., & Manzoli, J. E. (2015). Transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMTs): princípios de operação e características eletrônicas. Revista Brasileira de Ensino de Física, 37( 4), 4306 (1-15). doi:10.1590/S1806-11173741967NLM
Romero MA, Ragi R, Manzoli JE. Transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMTs): princípios de operação e características eletrônicas [Internet]. Revista Brasileira de Ensino de Física. 2015 ; 37( 4): 4306 (1-15).[citado 2024 maio 01 ] Available from: https://doi.org/10.1590/S1806-11173741967Vancouver
Romero MA, Ragi R, Manzoli JE. Transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMTs): princípios de operação e características eletrônicas [Internet]. Revista Brasileira de Ensino de Física. 2015 ; 37( 4): 4306 (1-15).[citado 2024 maio 01 ] Available from: https://doi.org/10.1590/S1806-11173741967